SK hynix adota High-NA EUV da ASML e lidera futuro da DRAM

A SK hynix acaba de dar um passo histórico: foi a primeira empresa do setor de memórias a adotar comercialmente o sistema High-NA EUV da ASML.

O equipamento de ponta, o TWINSCAN EXE:5200B, já está em funcionamento na fábrica M16 em Icheon, na Coreia do Sul, e coloca a companhia em posição de destaque diante de concorrentes como Samsung e TSMC.

O impacto tecnológico é significativo. A nova geração de litografia aumenta a abertura numérica de 0,33 para 0,55, o que permite imprimir transistores 1,7 vezes menores e alcançar uma densidade de dispositivos 2,9 vezes superior em comparação às máquinas EUV atuais. Para o mercado de DRAM, isso significa módulos mais densos, rápidos e eficientes em consumo de energia, com custo por bit mais competitivo.

Para a SK hynix, o momento não poderia ser mais estratégico. A empresa já vinha ganhando força como fornecedora de memória de alto desempenho para gigantes como NVIDIA e AMD, que dependem de chips rápidos para inteligência artificial e data centers. Com o High-NA, a fabricante consegue simplificar processos, reduzir etapas de litografia múltipla e acelerar o desenvolvimento de novas gerações de DRAM, consolidando seu lugar entre os líderes da indústria.

Há também um componente simbólico. Até pouco tempo, a inovação em memória se baseava principalmente em novos materiais e arquiteturas de célula, enquanto a litografia ocupava um papel secundário. O High-NA muda essa lógica: a própria ótica passa a ser o motor principal de avanço. Ser a primeira a integrar essa tecnologia reforça a imagem da SK hynix como líder em inovação e parceira próxima da ASML no desenvolvimento de soluções conjuntas.

As implicações competitivas são claras. A Samsung, que dominou o mercado de DRAM por décadas, vê agora a rival encurtar distâncias em tempo recorde. Analistas já comparam o movimento ao impacto que a TSMC teve sobre a Intel no segmento de processadores: quem domina a litografia mais avançada, define o ritmo da indústria. Embora memória e lógica sigam regras diferentes, o paralelo é inevitável.

Quanto à TSMC e a corrida para o nó de 2 nm, o High-NA EUV é considerado essencial para viabilizar padrões tão finos em lógica. Mas no caso da DRAM, os ganhos chegam antes: reduzir o tamanho das células, melhorar uniformidade e superar o chamado “limite de camadas” são vantagens imediatas.

Claro que os desafios não desaparecem. Existem obstáculos como estabilidade de películas, variações na química do fotorresiste e gargalos de produtividade. Ainda assim, ser pioneira dá à SK hynix uma curva de aprendizado única: cada wafer processado com o High-NA representa experiência que concorrentes ainda não acumulam.

No médio prazo, o resultado deve ser memória mais rápida, mais densa e mais acessível, algo crucial em uma era dominada por aplicações de IA e computação de alto desempenho. Para o consumidor final, isso pode significar desde notebooks mais ágeis até servidores mais poderosos. O jogo mudou, e a SK hynix saiu na frente.