A SK hynix anunciou uma novidade que pode mudar o jogo para os smartphones: um novo tipo de DRAM móvel que promete acabar com o superaquecimento em celulares com IA embarcada e jogos pesados. 
A empresa desenvolveu um High-K Epoxy Molding Compound com adição de alumina, que aumenta em 3,5 vezes a condutividade térmica e reduz quase pela metade a resistência à dissipação de calor.
Hoje em dia, a maioria dos fabricantes posiciona a DRAM diretamente sobre o chip principal para economizar espaço e acelerar a transferência de dados. O problema é que, em uso intenso, esse design gera calor demais e causa queda de desempenho. Com a nova solução da SK hynix, os smartphones devem rodar mais rápido, consumir menos bateria e manter a performance por muito mais tempo sem esquentar demais.
Segundo Lee Gyu-jei, chefe de desenvolvimento de pacotes da empresa, trata-se de algo maior que um simples upgrade técnico: “É uma conquista significativa, pois resolve incômodos reais que usuários de smartphones de alto desempenho enfrentam. Com isso, reforçamos nossa liderança no mercado de DRAM de próxima geração”.
Ainda não há uma data confirmada para a estreia, mas especialistas acreditam que veremos essa memória em flagships já em 2026. Considerando o avanço da IA nos celulares, pode ser o upgrade mais importante dos próximos anos.
2 comentários
Os celulares ficam mais rápidos mas a bateria ainda morre no almoço 😑
IA é bonito, mas se o celular vira torradeira não adianta 🔥📱