Nó de fabricação Intel 18A traz grande aumento de desempenho

A Intel apresentou seu novo nó de fabricação 18A, que substituirá o nó Intel 3 e promete um aumento de 25% na frequência com 36% a menos de consumo de energia na mesma frequência. Este novo nó será utilizado nos próximos processadores Panther Lake para consumidores e nas opções Xeon Clearwater Forest para servidores.

Os detalhes foram revelados no Simpósio de Tecnologia VLSI de 2025, onde a Intel destacou novas tecnologias como RibbonFET (GAA) e PowerVia, que visam melhorar o desempenho e a densidade enquanto reduzem o consumo de energia.

O processo 18A da Intel oferece um aumento de mais de 30% na densidade, uma melhoria completa de um nó na performance e maior flexibilidade no design. A tecnologia RibbonFET, que substitui a antiga tecnologia FinFET, reduz a capacitância parasitária, melhora a eletrostática e permite um melhor desempenho por área. O uso do PowerVia, que faz a distribuição de energia pela parte traseira, otimiza o gerenciamento de energia e aumenta a densidade lógica.

O nó 18A oferece grandes vantagens, como uma melhor densidade lógica, utilização otimizada das células e redução de 10 vezes na queda de tensão. As bibliotecas de alta performance oferecem altura de 180 nm, enquanto as bibliotecas de baixo custo têm 160 nm, permitindo melhor utilização das células padrão. Além disso, o nó suporta operações em baixa tensão, permitindo economias de até 38% de energia em tensões mais baixas.

A Intel também destaca uma impressionante melhoria de 30% na densidade SRAM em comparação com o Intel 3, tornando o 18A ideal para os processadores de próxima geração. A uma tensão de 1,1 V, este nó de fabricação oferece um desempenho 25% superior ao Intel 3, e também suporta operações em baixa tensão abaixo de 0,65 V para economia adicional de energia. Apesar do otimismo da Intel com as melhorias previstas, ainda há ceticismo sobre a capacidade da empresa de cumprir suas promessas.